Japanese | English

トップページへ戻る

詳細

   
フルテキストURLフルテキストリンクなし
タイトルAlN homoepitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE
作成者Nomura, Takuya
Okumura, Kenta
Miyake, Hideto
Hiramatsu, Kazumasa
Eryu, Osamu
Yamada, Yoichi
作成者ヨミノムラ, タクヤ
オクムラ, ケンタ
ミヤケ, ヒデト
ヒラマツ, カズマサ
エリュウ, オサム
ヤマダ, ヨウイチ
作成者別表記山田, 陽一
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
著者キーワードA2. homoepitaxial growth
A3. HVPE
B1. AlN
資料タイプtext
出版者North-Holland
Elsevier Science
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0022-0248
NCIDAA00696341
AA11531784
掲載誌名Journal of crystal growth
350
1
開始ページ69
終了ページ71
発行日2012-07-01
DOIinfo:doi/10.1016/j.jcrysgro.2011.12.025
関連情報URL(IsPartOf)http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248
著者版/出版社版その他
リポジトリID2012010972
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010972