Japanese | English

トップページへ戻る

詳細

   
フルテキストURLフルテキストリンクなし
タイトルSuccessful natural stress-induced separation of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers on sapphire substrates
作成者Yamane, K.
Ueno, M.
Furuya, H.
Okada, N.
Tadatomo, K.
作成者ヨミヤマネ, ケイスケ
オカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者別表記山根, 啓輔
岡田, 成仁
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
著者キーワードA1. substrates
A3. hydride vapor phase epitaxy
B1. nitrides
B2. semiconducting gallium compounds
資料タイプtext
出版者North-Holland
Elsevier Science
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0022-0248
NCIDAA00696341
AA11531784
掲載誌名Journal of crystal growth
358
開始ページ1
終了ページ4
発行日2012-11-01
DOIinfo:doi/10.1016/j.jcrysgro.2012.07.038
関連情報URL(IsPartOf)http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248
著者版/出版社版その他
リポジトリID2012010971
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010971