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タイトルReduction in dislocation density of semipolar GaN layers on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy
作成者Yamane, Keisuke
Ueno, Motohisa
Uchida, Katsumi
Furuya, Hiroshi
Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミヤマネ, ケイスケ
ウエノ, モトヒサ
ウチダ, カツミ
フルヤ, ヒロシ
オカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者別表記山根, 啓輔
岡田, 成仁
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者Japan Society of Applied Physics through Institute of Pure and Applied Physics
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN1882-0778
NCIDAA12295133
掲載誌名Applied physics express
5
9
開始ページ095503
発行日2012-09
DOIinfo:doi/10.1143/APEX.5.095503
関連情報URL(IsPartOf)http://apex.jsap.jp/
著者版/出版社版その他
備考[ページ]の”095503”は論文番号
リポジトリID2012010766
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010766