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タイトルDependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells
作成者Murotani, Hideaki
Akase, Daiki
Anai, Koji
Yamada, Yoichi
Miyake, Hideto
Hiramatsu, Kazumasa
作成者ヨミムロタニ, ヒデアキ
アカセ, ダイキ
アナイ, コウジ
ヤマダ, ヨウイチ
ミヤケ, ヒデト
ヒラマツ, カズマサ
作成者別表記山田, 陽一
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者American Institute of Physics
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0003-6951
1077-3118
NCIDAA00543431
AA11868096
掲載誌名Applied physics letters
101
4
開始ページ042110
発行日2012-07-23
DOIinfo:doi/10.1063/1.4739431
関連情報URL(IsPartOf)http://apl.aip.org/
著者版/出版社版その他
備考[ページ]の”042110”は論文番号
リポジトリID2012010569
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010569