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フルテキストURLA030051000202.pdf ( 402.7KB ) 公開日 2010-04-19
タイトルエキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
タイトルヨミエキシマ レーザ アニールホウ ニヨリ ケイセイ サレタ poly Si ハクマク ケッショウ セイチョウ ノ センイ リョウイキ ニ カンスル ケントウ
タイトル別表記Study of Transition Stage of Crystal Growth for the poly-Si Prepared by Excimer Laser Annealing Method
作成者河本, 直哉
阿部, 寿
田口, 亮平
松尾, 直人
納田, 朋幸
浜田, 弘喜
作成者ヨミカワモト, ナオヤ
アベ, ヒサシ
タグチ, リョウヘイ
マツオ, ナオト
ノウダ, トモユキ
ハマダ, ヒロキ
作成者別表記Kawamoto, Naoya
Abe, Hisashi
Taguchi, Ryouhei
Matsuo, Naoto
Nouda, Tomoyuki
Hamada, Hiroki
作成者所属山口大学工学部
内容記述(抄録等)The crystal growth mechanisum for the poly-Si prepared by excimer laser annealing method is studied from a viewpoint of the transition stage between the solid phase crystallization for the low energy density and the nucleation and growth from the super cooled liquid for the high energy density. The preferred orientation, the crystallinity and the surface morphology are measured and the characteristics of the disk-shaped grain are clarified. Furthermore, the total mechanism of the recrystallized poly-Si is discussed.
本文言語jpn
著者キーワードELA
SPC
SCL
poly-Si grains
disk-shaped grain
crystal growth mechanism
主題工学
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者山口大学工学部
出版者ヨミヤマグチ ダイガク コウガクブ
NII資料タイプ紀要論文
ISSN1345-5583
NCIDAA11422756
学内刊行物(紀要等)山口大学工学部研究報告
掲載誌名山口大学工学部研究報告
掲載誌名別表記Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
51
2
開始ページ101
終了ページ104
発行日2001-03
関連情報URL(IsPartOf)http://memoirs.lib-e.yamaguchi-u.ac.jp/
著者版/出版社版出版社版
リポジトリIDA030051000202
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/A030051000202