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タイトルCharacterization and growth mechanism of nonpolar and semipolar GaN layers grown on patterned sapphire substrates
作成者Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミオカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者別表記岡田, 成仁
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者Institute of Physics
IOP Pub.
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0268-1242
1361-6641
NCIDAA10695094
AA12472727
掲載誌名Semiconductor science and technology
27
2
開始ページ024003
発行日2012-02
DOIinfo:doi/10.1088/0268-1242/27/2/024003
関連情報URL(IsPartOf)http://iopscience.iop.org/0268-1242
著者版/出版社版その他
備考[ページ]の”024003”は論文番号
リポジトリID2012010282
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010282