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タイトルGrowth of {11-22} GaN on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates
作成者Furuya, Hiroshi
Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミフルヤ, ヒロシ
オカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者別表記岡田, 成仁
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
著者キーワードGaN
MOVPE
semipolar
dislocation
SEM
XRD
cathodoluminescence
資料タイプtext
出版者Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN1862-6351
NCIDAA12375141
掲載誌名Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS
9
3-4
開始ページ568
終了ページ571
発行日2012-03
DOIinfo:doi/10.1002/pssc.201100352
関連情報URL(IsPartOf)http://onlinelibrary.wiley.com/journal/10.1002/(ISSN)1610-1642a
著者版/出版社版その他
リポジトリID2012010124
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010124