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タイトルマスクレスサファイア加工基板上非極性面窒化物半導体の結晶成長メカニズム(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
タイトルヨミマスクレス サファイア カコウ キバンジョウ ヒキョクセイメン チッカゴウブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイセイ メカニズム ジセダイ ソシ ノ タメ ノ チッカブツ ケッショウ セイチョウ シンキジク
タイトル別表記Growth mechanism of unpolar nitride semiconductor on maskless patterned sapphire substrates
作成者岡田, 成仁
只友, 一行
作成者ヨミオカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語jpn
資料タイプtext
出版者日本結晶成長学会
出版者ヨミニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイ
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0385-6275
NCIDAN00188386
AA12109272
掲載誌名日本結晶成長学会誌
38
4
開始ページ231
終了ページ240
発行日2012-01
関連情報URL(IsPartOf)http://ci.nii.ac.jp/vol_issue/nels/AN00188386_jp.html
著者版/出版社版その他
リポジトリID2012010083
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010083