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タイトルHigh-quality {20-21} GaN layers on patterned sapphire substrate with wideterrace
作成者Okada, Narihito
Oshita, Hiroyasu
Yamane, Keisuke
Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミオカダ, ナリヒト
オオシタ, ヒロヤス
ヤマネ, ケイスケ
タダトモ, カズユキ
作成者別表記岡田, 成仁
山根, 啓輔
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者American Institute of Physics
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0003-6951
1077-3118
NCIDAA00543431
AA11868096
掲載誌名Applied Physics Letters
99
24
開始ページ242103
発行日2011-12-12
DOIinfo:doi/10.1063/1.3670046
関連情報URL(IsPartOf)http://ojps.aip.org/aplo/
著者版/出版社版その他
備考[ページ]の"242103"は論文番号
リポジトリID2011010195
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2011010195