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フルテキストURLD530006000004.pdf ( 817.2KB ) 公開日 2016-03-11
タイトルフロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜(HfO_2)の革新的作製方法を目指して
タイトルヨミフロント エンド ULSIデバイス ノ テイアン : MOSFET ノ HIGF-Kゲート ゼツエンマク HFO_2 ノ カクシンテキ サクセイ ホウホウ オ メザシテ
作成者松尾, 直人
作成者ヨミマツオ, ナオト
作成者所属山口大学工学部
本文言語jpn
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者山口大学ベンチャービジネスラボラトリー
出版者ヨミヤマグチ ダイガク ベンチャー ビジネス ラボラトリー
NII資料タイプ研究報告書
学内刊行物(紀要等)山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報
掲載誌名山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報
6
開始ページ43
終了ページ43
発行日2002
著者版/出版社版出版社版
リポジトリIDD530006000004
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/D530006000004