Japanese | English

トップページへ戻る

詳細

   
フルテキストURLKJ00000156825.pdf ( 323.8KB ) 公開日 2010-04-19
タイトルECR プラズマによる Si の陽極酸化
タイトルヨミECR プラズマ ニヨル Si ノ ヨウキョク サンカ
タイトル別表記Anodization of Si using ECR Plasma
作成者森本, 泰生
石川, 和男
長尾, 圭吾
小柳, 剛
松原, 覚衛
作成者ヨミモリモト, ヤスオ
イシカワ, カズオ
ナガオ, ケイゴ
コヤナギ, ツヨシ
マツバラ, カクエイ
作成者別表記Morimoto, Yasuo
Ishikawa, Kazuo
Nagao, Keigo
Koyanagi, Tsuyoshi
Matsubara, Kakuei
作成者所属山口大学工学部
内容記述(抄録等)The plasma anodization was carried out in electron cyclotron resonance (ECR) microwave plasma. The unifrom oxide layers with the same oxygen concentration as SiO_2 were obtained at low temperatures. The growth of the oxide layers was studied with relation to the electron temperature, electron density, and optical emission intensities from the activated particles in the ECR plasma, which were measured by a double probe method and an optical emission spectroscopy analysis, respectively. The result suggests that the generation of O^* atomic radicals plays an important role of the growth of oxide layers.
本文言語jpn
主題電気電子工学
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者山口大学工学部
出版者ヨミヤマグチ ダイガク コウガクブ
NII資料タイプ紀要論文
ISSN0372-7661
NCIDAN00244228
学内刊行物(紀要等)山口大学工学部研究報告
掲載誌名山口大学工学部研究報告
掲載誌名別表記Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
41
1
開始ページ103
終了ページ107
発行日1990-10
著者版/出版社版出版社版
備考本文データは国立情報学研究所において電子化したものである
リポジトリIDKJ00000156825
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/KJ00000156825